Numéro de produit du fabricant:
UF3C120040K3S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3C120040K3S-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
35812 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12953647
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SOUMETTRE
UF3C120040K3S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
12V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 40A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
429W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
UF3C120040
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2312-UF3C120040K3S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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