Numéro de produit du fabricant:
UF3C065080B7S
Product Overview
Fabricant:
Qorvo
DiGi Electronics Numéro de pièce:
UF3C065080B7S-DG
Description:
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Description détaillée:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 136.4W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventaire:
2961 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12987825
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
UF3C065080B7S Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Qorvo
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 12 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK-7
Emballage / Caisse
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Numéro de produit de base
UF3C065080
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
2312-UF3C065080B7STR
2312-UF3C065080B7SCT
2312-UF3C065080B7SDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
E3M0060065D
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
IPP019N06NF2SAKMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
GT700P08T
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
