Numéro de produit du fabricant:
TPH3207WS
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPH3207WS-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
13445537
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SOUMETTRE
TPH3207WS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 32A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.65V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±18V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2197 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
178W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
5.23
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