Numéro de produit du fabricant:
TP65H480G4JSG-TR
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H480G4JSG-TR-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
Inventaire:
2915 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948221
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SOUMETTRE
TP65H480G4JSG-TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V
rds activé (max) @ id, vgs
560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 8 V
Vgs (max.)
±18V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
760 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
13.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
3-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TP65H480
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1707-TP65H480G4JSG-TR
1707-TP65H480G4JSG-DKR
1707-TP65H480G4JSG-CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STD15N60DM6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
NTMFS5C612NT1G-TE
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