Numéro de produit du fabricant:
TP65H070LDG
Product Overview
Fabricant:
Transphorm
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TP65H070LDG-DG
Description:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Description détaillée:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventaire:
13446137
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SOUMETTRE
TP65H070LDG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
-
Série
TP65H070L
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
600 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-PQFN (8x8)
Emballage / Caisse
3-PowerDFN
Numéro de produit de base
TP65H070
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
60
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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