TP65H035G4WS
Numéro de produit du fabricant:

TP65H035G4WS

Product Overview

Fabricant:

Transphorm

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TP65H035G4WS-DG

Description:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaire:

813 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938528
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SOUMETTRE

TP65H035G4WS Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Transphorm
Emballage
Tube
Série
SuperGaN™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 0 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
TP65H035

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
TP65H035G4WS

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
1707-TP65H035G4WS

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
micro-commercial-components

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