Numéro de produit du fabricant:
TTC015B,Q
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TTC015B,Q-DG
Description:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 150MHz 1.5 W Through Hole TO-126N
Inventaire:
89 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988665
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SOUMETTRE
TTC015B,Q Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 500mA, 2V
Puissance - Max
1.5 W
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-225AA, TO-126-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-126N
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
264-TTC015B,Q
264-TTC015B,Q-DG
264-TTC015BQ
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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