TTC011B,Q
Numéro de produit du fabricant:

TTC011B,Q

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TTC011B,Q-DG

Description:

PB-FPOWERTRANSISTORTO-126NPC=10W
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 1.5 W Through Hole TO-126N

Inventaire:

180 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988794
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SOUMETTRE

TTC011B,Q Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tray
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
230 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
200nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Puissance - Max
1.5 W
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-225AA, TO-126-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-126N

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
TTC011B

Informations supplémentaires

Forfait standard
250
Autres noms
264-TTC011B,Q
264-TTC011BQ
264-TTC011B,Q-DG

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produits Connexes
hy-electronic-cayman

MMBT2222A

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

micro-commercial-components

MMS9014HE3-L-TP

NPN TRANSISTORS, SOT-23

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BC847CHE3-TP

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BC807-16HE3-TP

PNP TRANSISTORS, SOT-23