Numéro de produit du fabricant:
TPCC8008(TE12L,QM)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TPCC8008(TE12L,QM)-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Description détaillée:
N-Channel 30 V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventaire:
12891005
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SOUMETTRE
TPCC8008(TE12L,QM) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
U-MOSIV
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-VDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
TPCC8008
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM
TPCC8008(TE12LQM)TR
TPCC8008(TE12LQM)DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E130BNTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1954
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E130BNTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.15
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