Numéro de produit du fabricant:
TK35N65W5,S1F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK35N65W5,S1F-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
26 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890503
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SOUMETTRE
TK35N65W5,S1F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
95mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
TK35N65
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
TK35N65W5S1F
TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX64N60P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
1060
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX64N60P3-DG
PRIX UNITAIRE
8.28
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