Numéro de produit du fabricant:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK32E12N1,S1X-DG
Description:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Description détaillée:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
78 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889193
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TK32E12N1,S1X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
98W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TK32E12
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
TK4P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
TK20A60W,S5VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
