Numéro de produit du fabricant:
TK32A12N1,S4X
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK32A12N1,S4X-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
Description détaillée:
N-Channel 120 V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventaire:
100 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891193
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SOUMETTRE
TK32A12N1,S4X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220SIS
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
TK32A12
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TK32A12N1S4X
TK32A12N1,S4X(S
TK32A12N1,S4X-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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