TK14G65W5,RQ
Numéro de produit du fabricant:

TK14G65W5,RQ

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TK14G65W5,RQ-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventaire:

12891474
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SOUMETTRE

TK14G65W5,RQ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 690µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1300 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
TK14G65

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
TK14G65W5RQDKR
TK14G65W5RQTR
TK14G65W5,RQ(S
TK14G65W5RQCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA12N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
288
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFA12N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.82
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
3.61
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FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2125
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.14
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