Numéro de produit du fabricant:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6K217FE,LF-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Description détaillée:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventaire:
25332 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891400
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SOUMETTRE
SSM6K217FE,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
130 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SSM6K217
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TPH1R005PL,L1Q
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