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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
SSM3K7002KFU,LXH
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3K7002KFU,LXH-DG
Description:
SMOS LOW RON NCH IO: 0.4A VDSS:
Description détaillée:
N-Channel 60 V 400mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
Inventaire:
7941 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12964899
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SOUMETTRE
SSM3K7002KFU,LXH Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
USM
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
SSM3K7002KFU,LXH-DG
Fiches techniques
SSM3K7002KFU,LXH
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-SSM3K7002KFULXHTR
264-SSM3K7002KFULXHCT
SSM3K7002KFU,LXH(B
264-SSM3K7002KFULXHDKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMT125N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTBGS004N10G
POWER MOSFET 203 AMPS, 100 VOLTS
PJA3456E_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3441_R1_00001
SOT-23, MOSFET