Numéro de produit du fabricant:
SSM3J56ACT,L3F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J56ACT,L3F-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Description détaillée:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Inventaire:
40754 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889228
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SOUMETTRE
SSM3J56ACT,L3F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
100 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Numéro de produit de base
SSM3J56
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
SSM3J56ACTL3FDKR
SSM3J56ACTL3FTR
SSM3J56ACTL3FCT
SSM3J56ACT,L3F(T
SSM3J56ACT,L3F(B
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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