Numéro de produit du fabricant:
SSM3J352F,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J352F,LF-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventaire:
5843 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891504
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SOUMETTRE
SSM3J352F,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
210 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SSM3J352
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM3J352FLFDKR
SSM3J352F,LF(B
SSM3J352FLF(B
SSM3J352FLFCT
SSM3J352FLF
SSM3J352FLFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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