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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
SSM3J321T(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3J321T(TE85L,F)-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
Description détaillée:
P-Channel 20 V 5.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12890973
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SOUMETTRE
SSM3J321T(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
U-MOSV
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
640 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSM
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
SSM3J321
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM3J321T (TE85L,F)
SSM3J321T(TE85LF)TR
SSM3J321TTE85LF
SSM3J321T(TE85LF)CT
SSM3J321T(TE85LF)DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2399DS-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
7732
NUMÉRO DE PIÈCE
SI2399DS-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
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PRIX UNITAIRE
0.06
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SSM3J328R,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
768347
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SSM3J328R,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
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PRIX UNITAIRE
0.14
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PRIX UNITAIRE
0.12
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