Numéro de produit du fabricant:
SSM10N954L,EFF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM10N954L,EFF-DG
Description:
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
Description détaillée:
N-Channel 12 V 13.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TCSPAC-153001
Inventaire:
10000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974372
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SOUMETTRE
SSM10N954L,EFF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
2.75mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 1.11mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4 V
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
800mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TCSPAC-153001
Emballage / Caisse
10-SMD, No Lead
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
264-SSM10N954L,EFFCT-DG
264-SSM10N954L,EFFDKR-DG
264-SSM10N954L,EFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR
264-SSM10N954LEFFTR
264-SSM10N954LEFFCT
264-SSM10N954L,EFFTR-DG
264-SSM10N954LEFFDKR
SSM10N954L,EFF(S
264-SSM10N954L,EFFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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