Numéro de produit du fabricant:
RN2907FE,LF(CT
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2907FE,LF(CT-DG
Description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
12889293
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SOUMETTRE
RN2907FE,LF(CT Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN2907
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
RN2907FELF(CBTR-DG
RN2907FE(T5LFT)CT-DG
RN2907FELF(CTTR
RN2907FELF(CBCT
RN2907FELF(CTDKR
RN2907FE(T5LFT)TR-DG
RN2907FE(T5LFT)DKR
RN2907FELF(CBDKR
RN2907FELF(CBDKR-DG
RN2907FELF(CBTR
RN2907FELF(CTCT
RN2907FE(T5LFT)CT
RN2907FE,LF(CB
RN2907FE(T5L,F,T)
RN2907FE(T5LFT)TR
RN2907FELF(CBCT-DG
RN2907FE(T5LFT)DKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBA114YDXV6T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
3990
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBA114YDXV6T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
PEMB9,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
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PEMB9,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.07
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