Numéro de produit du fabricant:
RN2605(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2605(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventaire:
12 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890610
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SOUMETTRE
RN2605(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
2.2kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
200MHz
Puissance - Max
300mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SM6
Numéro de produit de base
RN2605
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN2605(TE85LF)TR
RN2605(TE85LF)CT
RN2605(TE85LF)DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IMB10AT110
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
5988
NUMÉRO DE PIÈCE
IMB10AT110-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
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