Numéro de produit du fabricant:
RN2412,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN2412,LF-DG
Description:
PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
13240547
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SOUMETTRE
RN2412,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-RN2412,LFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Certification DIGI
Produits Connexes
NSVMUN5234T1G
SS SC70 BR XSTR NPN 50V
NSVMMUN2231LT1G
SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
PDTC123YT-QVL
PDTC123YT-Q/SOT23/TO-236AB
