RN2317(TE85L,F)
Numéro de produit du fabricant:

RN2317(TE85L,F)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RN2317(TE85L,F)-DG

Description:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventaire:

462 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890275
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SOUMETTRE

RN2317(TE85L,F) Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-70, SOT-323
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-70
Numéro de produit de base
RN2317

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
RN2317(TE85LF)-DG
RN2317(TE85LF)CT
RN2317(TE85LF)TR
RN2317TE85LF
RN2317(TE85LF)DKR
RN2317(TE85LF)

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DTA114WUAT106
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2404
NUMÉRO DE PIÈCE
DTA114WUAT106-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
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PRIX UNITAIRE
0.04
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