Numéro de produit du fabricant:
RN1971TE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1971TE85LF-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
12889089
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SOUMETTRE
RN1971TE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
RN1971
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1971TE85LFDKR
RN1971(TE85L,F)
RN1971TE85LFCT
RN1971TE85LFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
UMH4NTN
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2980
NUMÉRO DE PIÈCE
UMH4NTN-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
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