Numéro de produit du fabricant:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
3815 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891334
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SOUMETTRE
RN1962FE(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
10kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
100mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
RN1962
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1102MFV,L3F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
13398
NUMÉRO DE PIÈCE
RN1102MFV,L3F-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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