Numéro de produit du fabricant:
RN1708,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1708,LF-DG
Description:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventaire:
2753 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891273
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SOUMETTRE
RN1708,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
22kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Ensemble d’appareils du fournisseur
USV
Numéro de produit de base
RN1708
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-RN1708,LFCT
264-RN1708,LFDKR
RN1708LFDKR
RN1708,LF(B
RN1708LFTR
RN1708LFCT
RN1708LFDKR-DG
264-RN1708,LFTR
RN1708LFTR-DG
RN1708LFCT-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH