Numéro de produit du fabricant:
RN1424TE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1424TE85LF-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 800 mA 300 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
5265 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890956
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SOUMETTRE
RN1424TE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
800 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
90 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
300 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Numéro de produit de base
RN1424
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1424(TE85L,F)
RN1424TE85LF-DG
264-RN1424TE85LFDKR
264-RN1424TE85LFCT
264-RN1424TE85LFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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