RN1104MFV,L3F
Numéro de produit du fabricant:

RN1104MFV,L3F

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RN1104MFV,L3F-DG

Description:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Inventaire:

7999 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889177
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SOUMETTRE

RN1104MFV,L3F Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
150 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-723
Ensemble d’appareils du fournisseur
VESM
Numéro de produit de base
RN1104

Informations supplémentaires

Forfait standard
8,000
Autres noms
RN1104MFV(TL3T)CT-DG
RN1104MFVTL3T
RN1104MFV(TL3T)DKR
RN1104MFV,L3F(T
RN1104MFV (TL3,T)
RN1104MFV(TL3T)CT
RN1104MFVL3FCT
RN1104MFV,L3F(B
RN1104MFV(TL3T)TR
RN1104MFV(TL3T)DKR-DG
RN1104MFVL3FDKR
RN1104MFV(TL3,T)
RN1104MFV(TL3T)TR-DG
RN1104MFVL3FTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
DTC144EM3T5G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1415
NUMÉRO DE PIÈCE
DTC144EM3T5G-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
8000
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PRIX UNITAIRE
0.03
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QUANTITÉ DISPONIBLE
8000
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PRIX UNITAIRE
0.07
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PRIX UNITAIRE
0.04
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