Numéro de produit du fabricant:
HN3C51F-GR(TE85L,F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN3C51F-GR(TE85L,F-DG
Description:
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventaire:
12889166
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Quantité
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SOUMETTRE
HN3C51F-GR(TE85L,F Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
300mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SM6
Numéro de produit de base
HN3C51
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
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