Numéro de produit du fabricant:
HN2C01FEYTE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN2C01FEYTE85LF-DG
Description:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaire:
2640 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889415
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SOUMETTRE
HN2C01FEYTE85LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
100mW
Fréquence - Transition
60MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
HN2C01
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
HN2C01FEYTE85LFDKR
HN2C01FEYTE85LFTR
HN2C01FEYTE85LFCT
HN2C01FE-Y(TE85L,F
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
HN1C01FE-Y,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
HN1C01FE-Y,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
EMX1T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
15274
NUMÉRO DE PIÈCE
EMX1T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
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