HN1B04FE-GR,LF
Numéro de produit du fabricant:

HN1B04FE-GR,LF

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HN1B04FE-GR,LF-DG

Description:

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6

Inventaire:

7833 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890431
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SOUMETTRE

HN1B04FE-GR,LF Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
100mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Numéro de produit de base
HN1B04

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
HN1B04FE-GR(5L,F,T
HN1B04FE-GRLFDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR
HN1B04FEGRLFTR
HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FEGRLFTR-DG
HN1B04FE-GRLFCT
HN1B04FE-GRLF(TTR-DG
HN1B04FE-GRLF(TCT
HN1B04FE-GR(5LFTCT
HN1B04FE-GR(5LFTDKR-DG
HN1B04FE-GR,LF(B
HN1B04FE-GRLF(TCT-DG
HN1B04FE-GRLFTR
HN1B04FE-GR(5LFTDKR
HN1B04FE-GRLF(TDKR-DG
HN1B04FE-GRLF(TTR
HN1B04FE-GRLF(TDKR
HN1B04FE-GR(5LFTTR-DG
HN1B04FE-GR(5LFTCT-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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