Numéro de produit du fabricant:
2SK2009TE85LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SK2009TE85LF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Description détaillée:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventaire:
12890631
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SOUMETTRE
2SK2009TE85LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
70 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC-59-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2SK2009
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2SK2009TE85LFCT
2SK2009 (TE85L,F)
2SK2009(TE85L,F)
2SK2009TE85LFTR
2SK2009TE85LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NX3020NAK,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
112914
NUMÉRO DE PIÈCE
NX3020NAK,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7002P,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
1165046
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7002P,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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Certification DIGI
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