Numéro de produit du fabricant:
2SD2206A(T6SEP,F,M
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SD2206A(T6SEP,F,M-DG
Description:
TRANS NPN 120V 2A TO92MOD
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 2 A 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventaire:
12891825
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Quantité
Minimum 1
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i1A4
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SOUMETTRE
2SD2206A(T6SEP,F,M Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
2000 @ 1A, 2V
Puissance - Max
900 mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92MOD
Numéro de produit de base
2SD2206
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SD2206A(T6SEPFM
2SD2206AT6SEPFM
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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