Numéro de produit du fabricant:
2SA965-Y,T6F(J
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SA965-Y,T6F(J-DG
Description:
TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventaire:
12890294
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SOUMETTRE
2SA965-Y,T6F(J Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
800 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 100mA, 5V
Puissance - Max
900 mW
Fréquence - Transition
120MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92MOD
Numéro de produit de base
2SA965
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2SA965-YT6F(J
2SA965YT6FJ
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1201-Y(TE12L,ZC
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
788
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
PRIX UNITAIRE
0.13
TYPE DE SUBSTITUT
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