Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
CSD88599Q5DCT
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD88599Q5DCT-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
Description détaillée:
Mosfet Array 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
Inventaire:
432 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12795125
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
CSD88599Q5DCT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
-
Tension de vidange à la source (Vdss)
60V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4840pF @ 30V
Puissance - Max
12W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
22-PowerTFDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
22-VSON-CLIP (5x6)
Numéro de produit de base
CSD88599Q5
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
CSD88599Q5DC Datasheet
Page produit du fabricant
CSD88599Q5DCT Specifications
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-46924-1
296-46924-6
2156-CSD88599Q5DCT
296-46924-2
TEXTISCSD88599Q5DCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
CSD75205W1015
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
EPC2100
GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
EPC2110ENGRT
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE