CSD86356Q5D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 5V Drive
Tension de vidange à la source (Vdss)
25V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (5x6)
Numéro de produit de base
CSD86356
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
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