CSD19538Q3A
Numéro de produit du fabricant:

CSD19538Q3A

Product Overview

Fabricant:

Texas Instruments

DiGi Electronics Numéro de pièce:

CSD19538Q3A-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)

Inventaire:

17430 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13037331
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SOUMETTRE

CSD19538Q3A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
59mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
454 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSONP (3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
CSD19538

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Page produit du fabricant

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
CSD19538Q3A-ND
296-44352-1
296-44352-2
296-44352-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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