Numéro de produit du fabricant:
CSD19537Q3T
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD19537Q3T-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventaire:
2462 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12794827
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SOUMETTRE
CSD19537Q3T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
50A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1680 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD19537Q3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-42632-6
2156-CSD19537Q3TTR
296-42632-1
296-42632-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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