Numéro de produit du fabricant:
CSD19506KTTT
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD19506KTTT-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
Inventaire:
700 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12788780
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SOUMETTRE
CSD19506KTTT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12200 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (DDPAK-3)
Emballage / Caisse
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Numéro de produit de base
CSD19506
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
296-CSD19506KTTTTR
296-CSD19506KTTTDKR
CSD19506KTTT-DG
296-CSD19506KTTTCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2 (1 Year)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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