Numéro de produit du fabricant:
CSD18512Q5BT
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD18512Q5BT-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 40 V 211A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Inventaire:
360 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12795522
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SOUMETTRE
CSD18512Q5BT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
211A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7120 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD18512
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
250
Autres noms
296-CSD18512Q5BTCT
CSD18512Q5BT-DG
2156-CSD18512Q5BT
TEXTISCSD18512Q5BT
296-CSD18512Q5BTDKR
296-CSD18512Q5BTTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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