CSD16556Q5B
Numéro de produit du fabricant:

CSD16556Q5B

Product Overview

Fabricant:

Texas Instruments

DiGi Electronics Numéro de pièce:

CSD16556Q5B-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Inventaire:

7319 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12795637
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SOUMETTRE

CSD16556Q5B Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.07mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6180 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.2W (Ta), 191W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSONP (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD16556

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Page produit du fabricant

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
-296-35627-2
CSD16556Q5B-DG
TEXTISCSD16556Q5B
296-35627-1
2156-CSD16556Q5B
296-35627-2
-296-35627-2-DG
296-35627-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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