CSD16411Q3
Numéro de produit du fabricant:

CSD16411Q3

Product Overview

Fabricant:

Texas Instruments

DiGi Electronics Numéro de pièce:

CSD16411Q3-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 14A/56A 8VSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Inventaire:

21452 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12815988
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SOUMETTRE

CSD16411Q3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Ta), 56A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+16V, -12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
570 pF @ 12.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
CSD16411

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Page produit du fabricant

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
296-24255-1
296-24255-2
-CSD16411Q3-NDR
296-24255-6-NDR
296-24255-1-NDR
296-24255-6
CSD16411Q3/2801-DG
296-24255-2-NDR
-296-24255-1-NDR
2156-CSD16411Q3
CSD16411Q3/2801
-CSD16411Q3/2801-NDR
TEXTISCSD16411Q3
-296-24255-1-DG
-CSD16411Q3/2801

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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