TSM9ND50CI
Numéro de produit du fabricant:

TSM9ND50CI

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM9ND50CI-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 9A ITO220
Description détaillée:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventaire:

3875 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12893699
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SOUMETTRE

TSM9ND50CI Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1116 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM9

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
TSM9ND50CI C0G
-2068-TSM9ND50CI

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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