TSM80N950CI
Numéro de produit du fabricant:

TSM80N950CI

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM80N950CI-DG

Description:

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220

Inventaire:

13004610
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SOUMETTRE

TSM80N950CI Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
691 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM80

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM80N950CI

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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