Numéro de produit du fabricant:
TSM60NC196CI
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NC196CI-DG
Description:
600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventaire:
12999091
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SOUMETTRE
TSM60NC196CI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1535 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM60NC196CI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NC196CI C0G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
3840
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NC196CI C0G-DG
PRIX UNITAIRE
1.47
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
SIR5623DP-T1-RE3
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB60CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER