Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB190CF
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB190CF-DG
Description:
600V, 18A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole ITO-220S
Inventaire:
12999362
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SOUMETTRE
TSM60NB190CF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1311 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
59.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220S
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
TSM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM60NB190CF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024ENX
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
464
NUMÉRO DE PIÈCE
R6024ENX-DG
PRIX UNITAIRE
1.57
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
1.78
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
451
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.69
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