Numéro de produit du fabricant:
TSM4ND65CI
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM4ND65CI-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventaire:
1845 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12898671
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SOUMETTRE
TSM4ND65CI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
596 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
41.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-DG
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN6040SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
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