Numéro de produit du fabricant:
TSM4NB65CI
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM4NB65CI-DG
Description:
650V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventaire:
12998652
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
TSM4NB65CI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
549 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
25W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM4NB65CI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSF2429
MOSFET, P-CH, SINGLE, -5A, -20V,
TSM3443CX6
-20V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO
TSM085P03CV
-30, -64, SINGLE P-CHANNEL