TSM2NB60CH
Numéro de produit du fabricant:

TSM2NB60CH

Product Overview

Fabricant:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TSM2NB60CH-DG

Description:

600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventaire:

12998747
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SOUMETTRE

TSM2NB60CH Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
249 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
44W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
TSM2

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
15,000
Autres noms
1801-TSM2NB60CH

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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