Numéro de produit du fabricant:
TSM1NB60CP
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM1NB60CP-DG
Description:
600V, 1A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12999206
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SOUMETTRE
TSM1NB60CP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
138 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM1
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
1801-TSM1NB60CPTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM1NB60CP ROG
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
8702
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM1NB60CP ROG-DG
PRIX UNITAIRE
0.21
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM300NB06LCV
60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IMZA120R007M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IXFN140N60X3
DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 SOT
